1. IPP60R600CP
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP60R600CP 

产品描述

MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V

内部编号

173-IPP60R600CP

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:11000
1+¥6.7033
25+¥6.2411
100+¥5.9329
500+¥5.7017
1000+¥5.4705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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IPP60R600CP产品详细规格

规格书 IPP60R600CP datasheet 规格书
IPP60R600CP
IPP60R600CP datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品培训模块
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 600 mOhm @ 3.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 220µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 27nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 550pF @ 100V
功率 - 最大 60W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube
P( TOT ) 60W
匹配代码 IPP60R600CP
安装 THT
R( THJC ) 2.1K/W
LogicLevel NO
包装 TO220-3
单位包 50
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 500
Q(克) 21nC
LLRDS (上) n.s.Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 6.1A
V( DS ) 650V
技术 CoolMOS CP
的RDS(on ) at10V 0.6Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.1A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 220µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 500
供应商设备封装 TO-220-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 600 mOhm @ 3.3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 60W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 550pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 27nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 6.1 A
零件号别名 IPP60R600CPXKSA1 SP000405888
下降时间 17 ns
安装风格 Through Hole
产品种类 MOSFET
商品名 CoolMOS
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 75 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IPP60R600
RDS(ON) 600 mOhms
功率耗散 60 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 12 ns
漏源击穿电压 600 V
associated EYGA121807A
EYGA091203SM

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